一般IC上面都會有規(guī)格說明,就是IC Datasheet,Datasheet上面一般會說明該IC是否是OTP的元件。OTP本身也是One Time Programmable的縮寫,One Time就是一次性的意思,Programmable是燒錄的意思。如果不是新料,首先要清除原IC內(nèi)的舊程序,清除完之后,還需要查空,檢查程序是否已經(jīng)被清除干凈,里面是不是空的,是空的接下來才會再燒錄。燒錄就是把資料、程序編程到IC里邊。燒錄完之后,我們還要檢查燒錄的IC是否正確,接下來再做加密或?qū)懕Wo(hù)。
現(xiàn)代發(fā)展中X射線成像技術(shù)已經(jīng)形成了一套比較完整的X光無損檢測技術(shù)體系,“無損”顧名思義,檢測過程不會損壞試件,其最大特點就是能在不損壞試件材質(zhì)、結(jié)構(gòu)的前提下進(jìn)行檢測,因此采用無損檢測可實施產(chǎn)品百分百全檢,確保生產(chǎn)質(zhì)量。利用Xray在線檢測技術(shù)來實現(xiàn)這一點,既能實現(xiàn)BGA等不可見焊點的檢測,又能對檢測結(jié)果進(jìn)行定性、定量分析,從而早期發(fā)現(xiàn)故障。
元器件開封也稱為元器件開蓋,開帽,是常用的一種失效分析時破壞性檢測方法。通俗來講也就是給芯片做外科手術(shù),通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。
由于每個功能元件都有其自身的測試要求,設(shè)計工程師必須在設(shè)計初期就做出測試規(guī)劃。芯片是現(xiàn)代頂尖高科技技術(shù)的產(chǎn)物,芯片存在于各種各樣的電子產(chǎn)品之中,芯片的高度集成化也使芯片有了 更多更強(qiáng)大的功能。芯片需要做哪些測試呢?主要分三大類:芯片功能測試、性能測試、可靠性測試,芯片產(chǎn)品要上市三大測試缺一不可。
電子電氣設(shè)備的電性能的好壞直接影響到整個電氣系統(tǒng)的安全,可靠運行,為了保證設(shè)備安全,所有的電子電氣設(shè)備在生產(chǎn)制造過程中,必須通過各種型式試驗,保證電氣環(huán)境的安全。電性能測試包括導(dǎo)線電阻、絕緣電阻、介質(zhì)損耗角正確值、電容等導(dǎo)體或絕緣品質(zhì)的基本參數(shù)測試。電纜的工作電壓愈高,對其電性能要求也愈嚴(yán)格。
芯片可靠性測試主要分為環(huán)境試驗和壽命試驗兩個大項,其中環(huán)境試驗中包含了機(jī)械試驗(振動試驗、沖擊試驗、離心加速試驗、引出線抗拉強(qiáng)度試驗和引出線彎曲試驗)、引出線易焊性試驗、溫度試驗(低溫、高溫和溫度交變試驗)、濕熱試驗(恒定濕度和交變濕熱)、特殊試驗(鹽霧試驗、霉菌試驗、低氣壓試驗、靜電耐受力試驗、超高真空試驗和核輻射試驗);而壽命試驗包含了長期壽命試驗(長期儲存壽命和長期工作壽命)和加速壽命試驗(恒定應(yīng)力加速壽命、步進(jìn)應(yīng)力加速壽命和序進(jìn)應(yīng)力加速壽命),其中可以有選擇的做其中一些。
芯片一般是不會壞的,如果壞的話最常見的也是擊穿損壞,你可以用萬用表測量一下芯片的供電端對地的電阻或電壓,一般如果在幾十歐姆之內(nèi)或供電電壓比正常值低,大部分可以視為擊穿損壞了,可以斷開供電端,單獨測量一下供電是否正常。如果測得的電阻較大,那很可能是其他端口損壞,也可以逐一測量一下其他端口??词欠裼袑Φ囟搪返亩丝凇?/span>
隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展,其芯片的特征尺寸變得越來越小,器件的結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜,與之相應(yīng)的芯片工藝診斷、失效分析、器件微細(xì)加工也變得越來越困難,傳統(tǒng)的分析手段已經(jīng)難以滿足集成電路器件向深亞微米級、納米級技術(shù)發(fā)展的需要。
芯片其實是集成電路的聚集地。一個芯片擁有成千上萬的集成晶格組成。但具體的芯片集成度的高低與密集是由芯片的功能與作用而決定的。 IC芯片損壞這種現(xiàn)象也是存在的,但前提條件是給芯片供電電源太高,或電流過大,都會導(dǎo)致芯片內(nèi)部電路由于超過其極限工作電流電壓而導(dǎo)致芯片損壞。