GJB 548標(biāo)準(zhǔn)

GJB548 是什么

GJB548《微電子器件試驗(yàn)方案和程序》規(guī)定了軍用微電子器件的氣候環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)、電學(xué)試驗(yàn)和檢驗(yàn)程序，以及為保證微電子器件滿足預(yù)定用途所要求的質(zhì)量和可靠性而必須的控制措施和限制條件。標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用微電子器件，是我國(guó)當(dāng)今最完善、最成熟的軍用電子元器件質(zhì)量與可靠性的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)。

GJB548 是大量電子元器件應(yīng)用實(shí)踐的經(jīng)驗(yàn)與現(xiàn)代科學(xué)相結(jié)合的產(chǎn)物。GJB548 中的方法是對(duì)電子元器件在使用過(guò)程中大量出現(xiàn)的失效模式進(jìn)行機(jī)理分析，并將這些失效機(jī)理對(duì)應(yīng)的元器件的材料、結(jié)構(gòu)缺陷和隱患與現(xiàn)代檢測(cè)技術(shù)相結(jié)合形成的，所以這些方法針對(duì)性很強(qiáng)，有很好的實(shí)踐性與科學(xué)性。

GJB548C 參與制定單位

工業(yè)和信息化部電子第四研究院、北京航空航天大學(xué)、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所、中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七一研究所、中國(guó)航天科技集團(tuán)有限公司第九研究院第七七二研究所、濟(jì)南市半導(dǎo)體元件實(shí)驗(yàn)所。

GJB548C 修訂情況

GJB548C 試驗(yàn)項(xiàng)目一共 78 項(xiàng)（其中 74 項(xiàng)原有，新增 4 項(xiàng)）

氣候環(huán)境試驗(yàn)：1000 系列-28 項(xiàng)

機(jī)械環(huán)境試驗(yàn)：2000 系列-35 項(xiàng)

電學(xué)試驗(yàn)：3000 系列-2 項(xiàng)

檢驗(yàn)程序：5000 系列-13 項(xiàng)

原有的 74 項(xiàng)試驗(yàn)方法里未改動(dòng)的有 42 項(xiàng)，有修改的32 項(xiàng)。

增加的 4 項(xiàng)試驗(yàn)方法有：方法 2036  耐焊接熱、方法 2037  鉛錫焊料成分分析-X 射線熒光檢測(cè)、方法 2038  焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力和方法 3023  集成電路鎖定。

GJB548C 主要變化

1.  正文    

（1）更新并增加了引用文件；

（2）增加了失效模式、失效機(jī)理、標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)等術(shù)語(yǔ)定義； 

（3）增加了電測(cè)試應(yīng)在最壞電源電壓條件下進(jìn)行的要求；

（4）細(xì)化了電測(cè)試溫度控制要求(尤其對(duì)于混合電路)。

2.  方法1012.1  熱性能

（1）基于當(dāng)前紅外熱像設(shè)備大多已具備輻射率修正能力，將涂漆要求改為可選操作；

（2）增加了涂層材料對(duì)峰值結(jié)溫的影響說(shuō)明。

3.  方法1014.3  密封

（1）增加了 A5 試驗(yàn)條件；

（2）提高了宇航級(jí)混合集成電路器件漏率失效判據(jù)；

（3）細(xì)化了氨質(zhì)譜檢漏法固定方法的內(nèi)腔容積分段；

（4）增加了累積氦質(zhì)譜檢漏法；

（5）細(xì)化了光學(xué)檢漏法有關(guān)要求。

4.  方法1017.1  中子輻射

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）細(xì)化了輻射源要求，增加了電離總劑量限制指標(biāo)。

5.方法1018.2  內(nèi)部氣體成分分析

（1）刪除了程序2 和程序33；

（2）細(xì)化了質(zhì)譜儀的校準(zhǔn)要求；

（3）增加了真空箱和傳遞通道的描述；

（4）增加了實(shí)驗(yàn)室應(yīng)提供對(duì)未知或已存在但未達(dá)到識(shí)別濃度的氣體質(zhì)譜描述說(shuō)明的規(guī)定；

（5）增加了實(shí)驗(yàn)室無(wú)權(quán)判定器件合格或不合格的規(guī)定。

6.方法  1019.3電離輻射(總劑量)

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）增加了低溫輻射試驗(yàn)規(guī)定；

（3）增加了使用干冰保存樣品的規(guī)定；

（4）增加了低劑量率增強(qiáng)效應(yīng)(ELDRS)的判定試驗(yàn)表征試驗(yàn)。

7.方法  1020.2  劑量率感應(yīng)鎖定

劑量測(cè)量系統(tǒng)中增加了閃爍探測(cè)器和康普頓二極管。

8.方法1034.1  染料滲透

（1）增加了試驗(yàn)設(shè)備，并細(xì)化了規(guī)格參數(shù)；

（2）修改了浸滲劑粘度；

（3）增加了正常明視場(chǎng)條件下的剖面拍照要求。

9.方法 2003.2  可焊性

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）增加了材料和設(shè)備；

（3）對(duì)蒸汽老化作了分類編寫；

（4）對(duì)試驗(yàn)條件作了分類編寫；

（5）增加了附錄 A 和附錄B；

（6）除了可焊性評(píng)價(jià)準(zhǔn)則表。

10.方法 2004.3引線牢固性

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）增加了試驗(yàn)條件 A1 引線釬焊牢固性和試驗(yàn)條件E 引線鍍層牢固性；

（3）修改了剛性引線試驗(yàn)程序；

（4）彎曲應(yīng)力試驗(yàn)和引線疲勞試驗(yàn)增加了翼型引線和 J 形引線試驗(yàn)程序。

11.  方法2005.1  振動(dòng)疲勞

增加了峰值加速度與振幅和頻率的計(jì)算關(guān)系。

12.方法 2009.2  外部目檢

（1）增加了焊球/焊柱陣列引出端缺陷判據(jù)；

（2）增加了玻璃填充底座封裝的玻璃密封處開口泡的缺陷判據(jù)。

13.方法 2010.2  內(nèi)部目檢(單片電路)

（1）增加了受控環(huán)境(潔凈室)要求；

（2）修改了  S  級(jí)金屬化層跨接的擠出金屬缺陷判據(jù)。

14.方法 2011.2  鍵合強(qiáng)度

（1）增加了引線鍵合點(diǎn)剪切試驗(yàn);

（2）增加了拉力鉤放置位置示意圖。

15.方法 2012.2X 射線檢查

（1）增加了實(shí)時(shí)成像 X射線檢查的設(shè)備和程序要求

（2）增加了有缺陷密封判據(jù)的示意圖。

16.方法 2015.2  耐溶劑性

修改了刷樣品時(shí)的手壓力。

17.方法 2017.2  內(nèi)部目檢(混合電路)

（1）刪除了一般要求；

（2）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；

（3）鍵合檢查通用要求增加了  H 級(jí)和K 級(jí)的擠出金屬缺陷判據(jù)。

18.方法 2018.2  掃描電子顯微鏡(SEM)檢查

（1）增加了對(duì)于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等平坦化工藝不需要 SEM檢查的要求；

（2）增加了采用芯片或已封裝器件的抽樣方案；

（3）增加了阻擋層/附著層不需要查的情況；

（4）修改了鈍化層臺(tái)階放大倍數(shù)范圍。

19.  方法 2019.3  芯片切強(qiáng)度

（1）增加了部分術(shù)語(yǔ)定義；

（2）修改了失效判據(jù)和分離模式。

20. 方法 2020.2 粒子碰撞噪聲檢測(cè)

（1）降低了預(yù)置值峰值；

（2）增加了設(shè)備的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)采集與分析可選功能；

（3）增加了不允許試驗(yàn)大型器件的規(guī)定；

（4）增加了器件放置位置范圍要求；

（5）增加了試驗(yàn)頻的計(jì)算公式；

（6）修改了腔高和頻率典型對(duì)應(yīng)值。

21. 方法 2023.3 非破壞性鍵合拉力

增加了拉力鉤放置位置示意圖。

22. 方法 2030.1 芯片粘接的超聲檢測(cè)

增加了圖例及反射/透射模式對(duì)照?qǐng)D。

23. 方法 2032.1 無(wú)源元件的目檢

（1）在檢查中增加了附加檢查的規(guī)定；

（2）細(xì)化了判據(jù)格式說(shuō)明；

（3）修改了薄膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；

（4）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化劃傷判據(jù)；

（5）修改了平面厚膜元件檢查中的金屬化空洞判據(jù)；

（6）修改了平面厚膜元件檢查中的厚膜電阻缺陷判據(jù)；

（7）修改了聲表面波元件檢查中的基板材料缺陷判據(jù)；

（8）修改了聲表面波元件檢查中的多余物缺陷判據(jù)；

（9）修正了部分?jǐn)?shù)據(jù)換算錯(cuò)誤。

24. 方法 2036 耐焊接熱

新增試驗(yàn)方法。

25. 方法 2037 鉛錫焊料成分分析-X 射線光檢測(cè)

新增試驗(yàn)方法。

26. 方法 2038 焊柱陣列封裝的破壞性引線拉力

新增試驗(yàn)方法。

27. 方法 3015.1 靜電敏感度的分級(jí)

（1）修改了交換引出端以獲得極性相反波形的規(guī)定；

（2）增加了空腳引出端的試驗(yàn)要求；

（3）細(xì)化了同名電源引出端的分組規(guī)定；

（4）增加了可以放置旁路電阻來(lái)消除脈沖前電壓的選擇；

（5）增加了放電結(jié)束后可以將所有引線同時(shí)接地的選擇。

28. 方法 3023 集成電路鎖定

新增試驗(yàn)方法。

29. 方法 5004.3 篩選程序

增加了附錄 A。

30. 方法 5005.3 鑒定檢驗(yàn)和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)程序

（1）B 級(jí) B 組檢驗(yàn)增加了芯片剪切或芯片粘接強(qiáng)度試驗(yàn)；

（2）D 組檢驗(yàn)增加了耐接熱分組；

（3）E 組檢驗(yàn)增加了單粒子效應(yīng)分組；

（4）增加了部分注釋。

31. 方法 5007.2 品圓批驗(yàn)收

（1）增加了金屬化層厚度和鈍化層厚度按 GJB 597B-2012 執(zhí)行的規(guī)定；

（2）增加了 GaAs、GaN 工藝晶圓厚度要求。

32. 方法 5009.1 破壞性物理分析

該方法內(nèi)容已被 GJB4027 工作項(xiàng)目 1100 所代替。

33. 方法 5010.3 復(fù)雜單片微電路檢驗(yàn)程序

E 組檢驗(yàn)增加了瞬態(tài)電離輻射、輻射鎖定和單粒子效應(yīng)分組。

34. 方法 5013.1 GaAs 工藝的晶圓制造控制和接收程序

（1）修改了工藝監(jiān)測(cè)圖形(PM)；

（2）增加了 PM 合格率和 PM 設(shè)置要求。