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失效分析
激光束電阻異常偵測(cè)
描述：
激光束電阻異常偵測(cè)(Optical Beam Induced Resistance Change，以下簡(jiǎn)稱OBIRCH)，以鐳射光在芯片表面(正面或背面) 進(jìn)行掃描，在芯片功能測(cè)試期間，OBIRCH 利用鐳射掃描芯片內(nèi)部連接位置，并產(chǎn)生溫度梯度，藉此產(chǎn)生阻值變化，并經(jīng)由阻值變化的比對(duì)，定位出芯片Hot Spot(亮點(diǎn)、熱點(diǎn))缺陷位置。
OBIRCH常用于芯片內(nèi)部電阻異常(高阻抗/低阻抗)、及電路漏電路徑分析。可快速對(duì)電路中缺陷定位，如金屬線中的空洞、通孔(via)下的空洞，通孔底部高電阻區(qū)等，也能有效的檢測(cè)短路或漏電。
測(cè)試范圍：
金屬線/Poly/Well短路 (Metal Short/Metal bridge)；
閘極氧化層漏電(Gate Oxide Pin Hole)；
金屬導(dǎo)通孔/接觸孔阻值異常；
任何有材質(zhì)或厚度不一樣的Short/Bridge/Leakage/High Resistance 等芯片失效情況。
檢測(cè)圖片：
經(jīng)由OBIRCH掃描芯片正面、背面，找到異常亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)。
檢測(cè)設(shè)備：
檢測(cè)優(yōu)勢(shì)：
1、OBIRCH快速可以偵測(cè)掃描芯片背面，找到異常亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)；
2、效率高、可進(jìn)行Backside Probe免去COB樣品備制的時(shí)間。
