失效分析
點(diǎn)針信號(hào)量測(cè)
描述：透過OM顯微鏡，利用一般點(diǎn)針(Prober)，搭接于芯片內(nèi)部線路，使其可以外接各類電性量測(cè)設(shè)備，以輸入信號(hào)及量測(cè)電性曲線。可依據(jù)不同需求，搭配多種設(shè)備進(jìn)行量測(cè)，借助點(diǎn)針(Prober)進(jìn)行電性量測(cè)，對(duì)于半導(dǎo)體組件失效分析，均能提供直接且快速的信息。
應(yīng)用范圍：
組件電性特性分析；
微機(jī)電及芯片微結(jié)構(gòu)研究；
可應(yīng)用在高頻電路及FIB Probing PAD及Active Probe (200 MHz)；
當(dāng)分析樣品需使用如InGaAs/OBIRCH/TLP/ESD/Curve Tracer等儀器卻無適當(dāng)治具或socket可用時(shí)，可用點(diǎn)針方式提供信號(hào)輸入輸出；
Wafer可點(diǎn)針進(jìn)行各項(xiàng)測(cè)試；
實(shí)驗(yàn)室另架設(shè)有Laser System，可做Laser Cut。
柵極電壓掃描曲線：
Vgs對(duì)Ids的曲線圖，當(dāng)晶體管的Vds電壓固定時(shí)，變動(dòng)Vgs則Ids亦會(huì)改變，可以得到一條Vgs 對(duì)Ids的曲線圖。此曲線可以研究在信道中的載子(電子或電洞)是如何被提升到傳導(dǎo)帶，而信道形成的臨界電壓及線性區(qū)的臨界電壓都可以被測(cè)得，可研究晶體管相當(dāng)重要的特性曲線。
測(cè)試圖片和曲線：
設(shè)備圖片：
創(chuàng)芯在線實(shí)驗(yàn)室設(shè)備優(yōu)勢(shì)：
1、偵測(cè)范圍廣：BGA Ball, 各類型Die Pad, FIB Pad，等晶圓級(jí)量測(cè)；
2、有助于失效分析快速確認(rèn)失效模式，排查失效點(diǎn)，縮小失效范圍，為去層分析和FIB分析做鋪墊。
