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失效分析
剖面/晶背研磨
描述： 利用砂紙或鉆石砂紙，搭配研磨頭作局部研磨(Polishing)，加上后續(xù)的拋光，可處理出清晰的樣品表面。剖面、斷面研磨與晶背研磨(Backside Polishing)，都是為了可以銜接后續(xù)的分析檢測(cè)。
研磨(Polishing)基本流程
切割：利用切割機(jī)裁將樣品裁切成適當(dāng)尺寸；
冷埋：利用混合膠填滿(mǎn)樣品隙縫，增強(qiáng)樣品之結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，避免受研磨應(yīng)力而造樣品毀損；
研磨：樣品以不同粗細(xì)之砂紙 (或鉆石砂紙)，進(jìn)行研磨；
拋光：于絨布轉(zhuǎn)盤(pán)上加入適當(dāng)?shù)膾伖庖?，進(jìn)行拋光以消除研磨所殘留的細(xì)微刮痕。
應(yīng)用范圍：
芯片產(chǎn)品，如覆晶封裝( Flip Chip)、鋁/銅制程結(jié)構(gòu)、C-MOS Image Sensor；
PCB/PCBA等各種板材或成品；LED成品。
檢測(cè)圖片：
晶背研磨(Backside Polishing)：
一般芯片晶背研磨
COB封裝形式晶背研磨
晶背研磨后， OBIRCH分析影像
剖面研磨 (Cross-section)：
Package樣品剖面研磨
MOSFET剖面研磨
銅制程剖面研磨
