穿透式電子顯微鏡(TEM)

描述： 穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron microscopy, TEM)主要是一種使用高能量電子束讓超薄的樣品成像，影像分辨率可達(dá)0.1奈米的原子等級，用以觀察材料微結(jié)構(gòu)或晶格缺陷的分析儀器。

可針對材料之顯微結(jié)構(gòu)、晶格缺陷(Dislocation)、化學(xué)成分進(jìn)行分析；搭配上EDS、HAADF(ZC)、應(yīng)力分析等功能，更能得到原子尺度結(jié)構(gòu)與成份信息，解決制程上各種難題。

應(yīng)用范圍：

顯微結(jié)構(gòu)分析(晶格影像)；

結(jié)晶缺陷、晶格缺陷(dislocation)分析；

元素成分分析；

電子繞射圖分析；

雜質(zhì)及污染源分析。

檢測圖片：

缺陷PV-TEM 轉(zhuǎn)XS-TEM延伸分布分析：

檢測圖片

LED磊晶結(jié)構(gòu)分析：LED磊晶各層結(jié)構(gòu)與LED量子井觀察與量測。

檢測圖片

3D DRAM分析：3D DRAM結(jié)構(gòu)分析與3D DRAM EDS mapping分析。

檢測圖片

高解析TEM/EDS分析：28奈米HKMG晶體管TEM影像與28奈米HKMG晶體管EDS mapping。

檢測圖片

高解析TEM影像分析：先進(jìn)制程FINFET影像:高倍率原子影像與STEM明場像與暗場像。

檢測圖片

檢測設(shè)備能量圖片：

FEI Talos-F200X

參數(shù)

JEOL JEM-2100F

參數(shù)

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