半導體主要由四個組成部分組成：集成電路、光電器件、分立器件、傳感器，由于集成電路又占了器件80%以上的份額，因此通常將半導體和集成電路等價。從電腦、智能手機，再到汽車電子、人工智能，如今在我們的生產生活中已隨處可見。它們之所以能夠得以發展，驅動內部收發信號的半導體芯片是關鍵。應用場景和市場的擴大，半導體芯片的需求無疑也會隨之增長，對其質量則有了更高的要求。
造成失效的原因有很多，如斷裂、變形、表面磨損等。正確的失效分析是解決零件失效、提高承載能力的基本環節。失效規律及機理是材料強度研究的基礎，從材料角度研究失效原因，進而找到防止失效的有效途徑。
對于芯片制造商來說，單純知道芯片是否達標，以此來淘汰壞品保證輸出產品質量，是遠不夠的。還需要“知其所以然”，保證良率，追根溯源，節約成本的同時給企業創造更高的效益。所以圍繞著這個主題，將進行一系列的檢測，我們將此稱為半導體失效分析。它的意義在于確定半導體芯片的失效模式和失效機理，以此進行追責，提出糾正措施，防止問題重復出現。
常用分析手段：
1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測
* IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接
* 開路、短路或不正常連接的缺陷
* 封裝中的錫球完整性
2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡
可對IC封裝內部結構進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕
晶元面脫層
錫球、晶元或填膠中的裂縫
封裝材料內部的氣孔
各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀
可用于材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規微區分析，精確測量元器件尺寸
4、常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡 EMMI微光顯微鏡用于偵測ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。
5、Probe Station 探針臺/Probing Test探針測試，可用來直接觀測IC內部信號
6、ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試
7、FIB切點分析
8、封裝去除
先進的開蓋設備和豐富的操作經驗，能夠安全快速去除各種類型的芯片封裝，專業提供芯片開蓋與取晶粒服務。
以上便是此次創芯檢測帶來的“半導體芯片失效分析”相關內容，希望能對大家有所幫助，我們將于后期帶來更多精彩內容。公司檢測服務范圍涵蓋：電子元器件測試驗證、IC真假鑒別，產品設計選料、失效分析，功能檢測、工廠來料檢驗以及編帶等多種測試項目。歡迎致電創芯檢測，我們將竭誠為您服務。
