芯片測試是芯片制造過程中，是確保芯片質量的重要環節，通過對芯片進行全面的測試，可以發現并糾正制造過程中的缺陷，提高產品的良品率，降低生產成本。傳統意義的芯片測試分為晶圓測試(簡稱中測)和成品測試(簡稱成測)兩種，訴求都是確保終端產品良品率的提升。

芯片測試的流程主要分為前工序測試、后工序測試和出貨前測試三個環節。

前工序測試：在芯片制造過程中的各個工序中，對芯片的各項參數進行檢測。這包括晶圓制備、掩模光刻、腐蝕刻蝕、擴散、退火、化學機械拋光等多個工序。每個工序都需要對芯片進行相應的參數檢測，以確保芯片的質量和性能符合要求。主要檢測項目包括晶圓表面形貌、晶體管的電學參數、MOS柵極的質量等。

后工序測試：在芯片制造過程的最后幾個工序中，對芯片進行的各項參數檢測。這包括膠合、切割、打磨、薄膜沉積、金屬化等多個工序。每個工序都需要對芯片進行相應的參數檢測，以確保芯片的質量和性能符合要求。主要檢測項目包括金屬線寬度、金屬線間隔、金屬線層的均勻性等。

出貨前檢測：在芯片生產完畢后，進行的最后一次檢測。主要是對芯片的各項參數進行全面檢測，確保芯片的質量和性能符合要求。主要檢測項目包括電學參數、封裝質量、可靠性等。

對于芯片測試的相關指標，因為不同類型和功能的芯片其測試項目有所不同，因此并沒有統一的測試指標。一般來說，芯片測試的指標可能包括測試穩定性、測試效率、缺陷覆蓋率、誤報率、漏報率等。這些指標會根據具體的芯片類型和測試需求進行定制和優化。

一、測試目的

芯片測試的目的是驗證生產出來的芯片是否達到當初的設計要求(spec需求)，通過測試對芯片進行篩選分類，把一些殘次品分選出來，把好的產品推向市場，不好的留著做后續的分析處理，以便改進設計或加工工藝，從而提高整個芯片的良率。

二、測試流程

Wafer測試(Wafer Probe)

在晶圓(Wafer)制作完成之后，成千上萬的裸DIE(未封裝的芯片)規則的分布滿整個Wafer。由于尚未進行劃片封裝，芯片的管腳全部裸露在外，這些極微小的管腳需要通過更細的探針(Probe)來與測試機臺(Tester)連接。在未進行劃片封裝的整片Wafer上，通過探針將裸露的芯片與測試機連接，從而進行的芯片測試就是CP測試。

Final測試(Final Test)

Final測試也叫封裝測試，這個階段是在芯片封裝完后進行最終的測試，使用的機器是測試機(ATE)+分選機(Handler)，通過測試的芯片會根據測試的結果對其進行分類也就是分BIN處理。

三、測試指標

測試穩定性：測試系統能夠穩定地進行測試，保證測試結果的可靠性。

測試效率：測試系統能夠快速地完成測試，提高生產效率。

缺陷覆蓋率：測試系統能夠檢測到盡可能多的缺陷，提高產品的良品率。

誤報率：測試系統能夠準確地識別合格品和缺陷品，減少誤報率。

漏報率：測試系統能夠將缺陷品遺漏的情況減少到最低，提高產品的質量。

四、測試內容

功能測試：驗證芯片的功能是否符合設計要求，對芯片的各項功能進行全面檢測。

性能測試：驗證芯片的性能是否達到設計要求，對芯片的各項性能進行全面檢測。

可靠性和壽命測試：驗證芯片的可靠性和壽命是否符合設計要求，對芯片進行長時間運行、高溫、低溫等惡劣條件下的測試。

封裝和外觀檢測：驗證芯片的封裝和外觀是否符合設計要求，對芯片的外觀、封裝質量等進行檢測。

總之，芯片測試是保證芯片質量的重要環節，通過對芯片進行全面的測試，可以發現并糾正制造過程中的缺陷，提高產品的良品率，降低生產成本。同時，通過對測試數據的分析和挖掘，可以為改進設計或加工工藝提供有力的支持，進一步提高整個芯片的良率和性能。