啊好涨用力哦太深了动态图_精品国产一二三区在线影院_91亚洲最新精品_国产精品国产三级国产普通话

六個步驟層層排查,探明這枚SN6505BDBVT上機短路的真相

日期:2022-09-01 16:01:00 瀏覽量:1833 標簽: 集成電路 X-Ray檢查 開蓋檢查 電特性分析 外觀檢查 失效分析


圖片1.png


集成電路上機失效,原因復雜多樣,常見原因有:制造工藝缺陷、環境因素、SMT工序、產品的設計缺陷、EMC電磁兼容設計、過壓過流、靜電(ESD)損壞等。

 

本次案例,客戶端反饋手中一批SN6505BDBVT驅動器上機貼片后出現輸出不良情況,不良率僅為0.1%(失效品僅1顆)。一枚成熟的產品發生如此失效問題,客戶先求助FAE對前端排查,結果并未發現相關設計、外圍元器件以及焊接等方面存在異常。既然從電路方面查不出原因,客戶就尋求我們創芯檢測的幫助,希望從元器件本身入手,查明原因所在。

 圖片2.png


除了失效樣品(編號為B1#),客戶還提供了一顆良品(編號為A1#)以供對比分析。至于失效的原因是什么,您可以先猜一猜,再跟隨我們一起經由測試,來驗證您的想法。

 

 

測試過程

 

步驟1:外觀檢查

 

目的:對收到的樣品進行外觀檢查,確認器件封裝絲印是否完整,是否有重新打磨翻新等痕跡,塑封體表面是否存在明顯破損、引腳完整性等基本信息。

 

檢測結果:對所提供樣品進行檢查,不論是良品(A1#還是失效品B1#)均未發現二次涂層、絲印重新打磨的痕跡。另外,良品和失效品引腳尾端均發現助焊劑殘留的痕跡,表明這兩顆芯片確實都是上過機的。

 圖片3.png



步驟2:電特性分析

 

目的:為了復現產品的失效問題,對好壞樣品的寄生二極管特性部分進行測量,確認輸出端是否有明顯損壞。

 

器件引腳說明圖


 圖片4.png

 

測試條件:將失效品(B1#)接入電路并連接示波器,顯示屏橫軸每個柵格表示電壓為0.5V縱軸每個柵格表示電流為0.5mA。

 

結果:通過與良品電特性分析比對,確認器件的失效品D2對GND之間二極管特性曲線圖像為短路模式,由于D2為輸出端,當MOS器件的D2漏極輸出端對地之間短路時,輸出端大部分電流以襯底(GND)的方向泄漏,導致電平直接被拉低。

 圖片5.png

 

步驟3:X-Ray檢查

 

目的:確認存在短路之后,利用X-Ray探查元器件內部結構是否存在異常,來驗證失效是否因為封裝問題所引起。

 

測試結果:經過比對良品與失效品內部圖像,并未發現封裝內部結構、鍵合絲和die上存在明顯異常。為探明失效原因,下面就必須進行破壞性測試。


 圖片6.png


步驟4:開蓋檢查

 

目的:開蓋檢查失效品(B1#die上是否存在工藝缺陷與燒毀跡象。

 

測試結果:經金相顯微鏡檢查,die上未發現異常現象。


 圖片7.png



步驟5:熱點分析(OBIRCH

 

目的熱點分析的原理,是用激光在芯片表面掃描,激光束的能量會被芯片吸收轉化為熱量。若芯片存在缺陷,則缺陷處的能量將不會被傳導和分散,從而導致缺陷處溫度升高,并使阻值變化。

 

在掃描同時對芯片施加一定的電壓和電流,在缺陷處就會引起電壓和電流的變化。通過將激光掃描到溫度變化的位置,與電壓和電流發生變化的位置相疊生成圖像,就可以定位熱點。

 

熱點分析可有效探查芯片中金屬線的空洞、通孔下的空洞,通孔底部高電阻區等,也能有效檢測短路或漏電。在X-Ray和開蓋都沒有發現異常的情況下,就要看進行熱點分析能不能為我們打開局面。

 

測試條件的評估:為了避免二次損壞,分析評估后對D2-GND之間的上電要求選定如下:測試電壓為0.10V,電流為2.45mA,分別在5.0x和20.0x的倍率下測試。

 

測試結果:熱點分析失效樣品(B1#),在5.0x和20x倍率下,觀察到die局部存在兩處熱點。接下來的工作,就是要在die之中,鎖定它們的具體位置。


 圖片8.png


步驟6:去層分析

 

目的:由于引發芯片失效的缺陷點往往發生位于芯片下層的結構,因此有必要對熱點分析發現的熱點區域進行去層分析,來鎖定樣品缺陷點的具體位置。

 

分析結果:對失效品(B1#)熱點分析異常區域進行去層分析,去層Solder、TM、M2時均未發現明顯異常,進一步去層到M1時發現明顯燒熔痕跡。探明芯片內損傷的點之后,我們就可以進一步分析,得出失效原因的最終結論。

 

去層分析步驟1—Die_Solder:在此層未發現異常


圖片9.png 

 

去層分析步驟2—Die_TM:在此層未發現異常


圖片10.png 

 

去層分析步驟3—Die_M2:在此層未發現異常


圖片11.png 

 

去層分析步驟4—Die_M1:在此層發現金屬線燒熔點


圖片12.png 

 

 

分析總結和改善建議

 

分析過程:客戶端反饋型號SN6505BDBVT驅動器上機貼片后出現輸出不良,不良率僅為0.1%(失效品1顆)。對客戶端提供的失效樣品進行I-V特性曲線量測,確認輸出端D2與GND之間表現為短路。

 

為了探究短路的最終原因,我們對此樣品進行X-Ray和開蓋檢查,結果未發現任何異常,進一步通過OBRICH偵測和去層分析后,在M1局部發現了明顯燒毀痕跡,最終根據M1燒毀形貌特征,確認失效機理為ESD損傷。

 

結論:綜上分析SN6505BDBVT驅動器客戶端反饋輸出不良的原因為ESD損傷導致D2與GND之間損壞,從而間接或直接導致芯片短路失效。 

 

建議:優化電網保護設計,注意防靜電措施。在特殊條件下,可以參考器件的ESD防控指標進行試驗,進一步確保整機產品具備完善的抗干擾能力。一旦物料出現失效情況,推薦您尋求專業IC檢測機構的幫助排查出失效原因

 

創芯在線檢測中心——您的首選IC檢測專家


微信掃碼關注 CXOlab創芯在線檢測實驗室
相關閱讀
五月芯資訊回顧:原廠漲價函不斷,疫情影響供應鏈

剛剛過去的五月,全球多地疫情反彈,大宗商品漲價延續,IC產業鏈毫無意外,缺貨漲價仍是主旋律。下面就來梳理一下過去的一個月,業內都有哪些值得關注的熱點。

2021-06-04 11:16:00
查看詳情
馬來西亞管控延長,被動元件又懸了?

自五月以來,馬來西亞疫情不斷升溫,每日新增確診高峰曾突破9000例。嚴峻形勢之下,馬來西亞政府于6月1日開始執行為期半個月的全面行動管制。在這之后,每日新增病例呈現下降趨勢。

2021-06-18 15:41:07
查看詳情
內存市場翻轉,漲價來襲!

據媒體近日報道,內存正在重回漲價模式,從去年12月到今年1月,漲幅最多的品種已達30%。據行情網站數據,各類內存條、內存顆粒在12月上旬起開始漲價,至今仍沒有停止的意思。

2021-03-05 10:53:00
查看詳情
被動元件漲價啟動,MLCC和芯片打頭陣

據臺媒近日報道,MLCC兩大原廠三星電機和TDK近期對一線組裝廠客戶發出通知,強調高容MLCC供貨緊張,即將對其調漲報價。在芯片電阻市場,臺廠國巨正式宣布從三月起漲價15-25%。緊接著,華新科也對代理商發出漲價通知,新訂單將調漲10-15%。

2021-03-05 10:52:00
查看詳情
深圳福田海關查獲大批侵權電路板,共計超過39萬個

據海關總署微信平臺“海關發布”10日發布的消息,經品牌權利人確認,深圳海關所屬福田海關此前在貨運出口渠道查獲的一批共計391500個印刷電路板,侵犯了UL公司的“RU”商標專用權。

2021-03-05 11:12:00
查看詳情